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Artigo de periodico
Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks (2023)
Araujo, Estacio Paiva De; Paiva, Murilo P.; Moisés, Lucas Augusto; Espírito Santo, Gabriel Scoparo do; Blanco, Kate Cristina ; Chiquito, Adenilson José; Amorim, Cleber Alexandre de
Source: Sensors. Unidade: IFSC
Subjects: CARBONO, SENSORES BIOMÉDICOS, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
ARAUJO, Estacio Paiva De et al. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks. Sensors, v. 23, n. 10, p. 4783-1-4783-17, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23104783. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Araujo, E. P. D., Paiva, M. P., Moisés, L. A., Espírito Santo, G. S. do, Blanco, K. C., Chiquito, A. J., & Amorim, C. A. de. (2023). Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks. Sensors, 23( 10), 4783-1-4783-17. doi:10.3390/s23104783
NLM
Araujo EPD, Paiva MP, Moisés LA, Espírito Santo GS do, Blanco KC, Chiquito AJ, Amorim CA de. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 10): 4783-1-4783-17.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23104783
Vancouver
Araujo EPD, Paiva MP, Moisés LA, Espírito Santo GS do, Blanco KC, Chiquito AJ, Amorim CA de. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 10): 4783-1-4783-17.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23104783
Trabalho de evento-resumo
Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks (2023)
Araújo, Estácio Paiva De; Espírito Santo, Gabriel Scoparo do; Paiva, Murilo P.; Moisés, Lucas Augusto; Blanco, Kate Cristina ; Chiquito, Adenilson José; Amorim, Cleber Alexandre de
Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: CARBONO, SENSORES BIOMÉDICOS, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
ARAÚJO, Estácio Paiva De et al. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d351005b-fb7f-46fa-a7c6-57463706f511/PROD034960_3157961.pdf. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Araújo, E. P. D., Espírito Santo, G. S. do, Paiva, M. P., Moisés, L. A., Blanco, K. C., Chiquito, A. J., & Amorim, C. A. de. (2023). Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d351005b-fb7f-46fa-a7c6-57463706f511/PROD034960_3157961.pdf
NLM
Araújo EPD, Espírito Santo GS do, Paiva MP, Moisés LA, Blanco KC, Chiquito AJ, Amorim CA de. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d351005b-fb7f-46fa-a7c6-57463706f511/PROD034960_3157961.pdf
Vancouver
Araújo EPD, Espírito Santo GS do, Paiva MP, Moisés LA, Blanco KC, Chiquito AJ, Amorim CA de. Improving hazardous gas detection behavior with palladium decorated SnO2 nanobelts networks [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d351005b-fb7f-46fa-a7c6-57463706f511/PROD034960_3157961.pdf
Parte de monografia/livro
Biosensores à base de óxidos metálicos transparentes: transistores de efeito de campo (fets) e nanofios (2019)
Amorim, Cleber Alexandre de ; Blanco, Kate Cristina ; Costa, Ivani Meneses; Chiquito, Adenilson José
Source: Meio ambiente, sustentabilidade e agroecologia 4. Unidade: IFSC
Subjects: BIOTECNOLOGIA, NANOPARTÍCULAS, SENSORES BIOMÉDICOS
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ABNT
AMORIM, Cleber Alexandre de et al. Biosensores à base de óxidos metálicos transparentes: transistores de efeito de campo (fets) e nanofios. Meio ambiente, sustentabilidade e agroecologia 4. Tradução . Ponta Grossa: Atena, 2019. . Disponível em: https://doi.org/10.22533/at.ed.309191604. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Amorim, C. A. de, Blanco, K. C., Costa, I. M., & Chiquito, A. J. (2019). Biosensores à base de óxidos metálicos transparentes: transistores de efeito de campo (fets) e nanofios. In Meio ambiente, sustentabilidade e agroecologia 4. Ponta Grossa: Atena. doi:10.22533/at.ed.309191604
NLM
Amorim CA de, Blanco KC, Costa IM, Chiquito AJ. Biosensores à base de óxidos metálicos transparentes: transistores de efeito de campo (fets) e nanofios [Internet]. In: Meio ambiente, sustentabilidade e agroecologia 4. Ponta Grossa: Atena; 2019. [citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.22533/at.ed.309191604
Vancouver
Amorim CA de, Blanco KC, Costa IM, Chiquito AJ. Biosensores à base de óxidos metálicos transparentes: transistores de efeito de campo (fets) e nanofios [Internet]. In: Meio ambiente, sustentabilidade e agroecologia 4. Ponta Grossa: Atena; 2019. [citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.22533/at.ed.309191604
Trabalho de evento-resumo
Structural, photoluminescent, and transport properties of the Ca10V6O25 superstructure (2018)
Teixeira, Mayara Mondego; Oliveira, Regiane Cristina; Pinatti, Ivo Mateus; Siu Li, Máximo; Chiquito, Adenilson José; Longo, Elson
Source: Program. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS, SINTERIZAÇÃO
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ABNT
TEIXEIRA, Mayara Mondego et al. Structural, photoluminescent, and transport properties of the Ca10V6O25 superstructure. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4E4G. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Teixeira, M. M., Oliveira, R. C., Pinatti, I. M., Siu Li, M., Chiquito, A. J., & Longo, E. (2018). Structural, photoluminescent, and transport properties of the Ca10V6O25 superstructure. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4E4G
NLM
Teixeira MM, Oliveira RC, Pinatti IM, Siu Li M, Chiquito AJ, Longo E. Structural, photoluminescent, and transport properties of the Ca10V6O25 superstructure [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4E4G
Vancouver
Teixeira MM, Oliveira RC, Pinatti IM, Siu Li M, Chiquito AJ, Longo E. Structural, photoluminescent, and transport properties of the Ca10V6O25 superstructure [Internet]. Program. 2018 ;[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/xviisbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=4E4G
Artigo de periodico
Pressure-induced electrical and structural anomalies in `Pb IND.1-X´`Ca IND.X´`TiO IND.3´ thin films grown at various oxygen pressures by chemical solution route (2008)
Pontes, F M; Galhiane, Mário Sérgio; Santos, L S; Rissato, Sandra Regina; Pontes, D S L; Longo, E; Leite, E R; Chiquito, Adenilson José; Pizani, Paulo Sérgio; Jardim, R. F.; Escote, Marcia Tsuyama
Source: Journal of Physics D-Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
PONTES, F M et al. Pressure-induced electrical and structural anomalies in `Pb IND.1-X´`Ca IND.X´`TiO IND.3´ thin films grown at various oxygen pressures by chemical solution route. Journal of Physics D-Applied Physics, v. 41, n. 11, p. 115402/1-115402/8, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0022-3727/41/11/115402/d8_11_115402.pdf?request-id=53233735-2601-4714-a8ca-e34cc624732e. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Pontes, F. M., Galhiane, M. S., Santos, L. S., Rissato, S. R., Pontes, D. S. L., Longo, E., et al. (2008). Pressure-induced electrical and structural anomalies in `Pb IND.1-X´`Ca IND.X´`TiO IND.3´ thin films grown at various oxygen pressures by chemical solution route. Journal of Physics D-Applied Physics, 41( 11), 115402/1-115402/8. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0022-3727/41/11/115402/d8_11_115402.pdf?request-id=53233735-2601-4714-a8ca-e34cc624732e
NLM
Pontes FM, Galhiane MS, Santos LS, Rissato SR, Pontes DSL, Longo E, Leite ER, Chiquito AJ, Pizani PS, Jardim RF, Escote MT. Pressure-induced electrical and structural anomalies in `Pb IND.1-X´`Ca IND.X´`TiO IND.3´ thin films grown at various oxygen pressures by chemical solution route [Internet]. Journal of Physics D-Applied Physics. 2008 ; 41( 11): 115402/1-115402/8.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0022-3727/41/11/115402/d8_11_115402.pdf?request-id=53233735-2601-4714-a8ca-e34cc624732e
Vancouver
Pontes FM, Galhiane MS, Santos LS, Rissato SR, Pontes DSL, Longo E, Leite ER, Chiquito AJ, Pizani PS, Jardim RF, Escote MT. Pressure-induced electrical and structural anomalies in `Pb IND.1-X´`Ca IND.X´`TiO IND.3´ thin films grown at various oxygen pressures by chemical solution route [Internet]. Journal of Physics D-Applied Physics. 2008 ; 41( 11): 115402/1-115402/8.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0022-3727/41/11/115402/d8_11_115402.pdf?request-id=53233735-2601-4714-a8ca-e34cc624732e
Artigo de periodico
Effects of annealing on electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system (2004)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A.; Mergulhão, Sérgio; Gobato, Yara Galvão; Galzerani, José Claúdio; Moshegov,Nicolai
Source: Materials Research. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Effects of annealing on electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system. Materials Research, v. 7, n. 3, p. 459-465, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s1516-14392004000300014. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhão, S., Gobato, Y. G., Galzerani, J. C., & Moshegov, N. (2004). Effects of annealing on electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system. Materials Research, 7( 3), 459-465. doi:10.1590/s1516-14392004000300014
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhão S, Gobato YG, Galzerani JC, Moshegov N. Effects of annealing on electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system [Internet]. Materials Research. 2004 ; 7( 3): 459-465.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392004000300014
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhão S, Gobato YG, Galzerani JC, Moshegov N. Effects of annealing on electrical and optical properties of a multilayer InAs/GaAs quantum dots system [Internet]. Materials Research. 2004 ; 7( 3): 459-465.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s1516-14392004000300014
Trabalho de evento-resumo
Conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled disorder (2002)
Pusep, Yuri A.; Chiquito, Adenilson José; Mergulhão, Sérgio; Toropov, A. I.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled disorder. 2002, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2002. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Mergulhão, S., & Toropov, A. I. (2002). Conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled disorder. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhão S, Toropov AI. Conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled disorder. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhão S, Toropov AI. Conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled disorder. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Formation of X-minibandd in type-II GAAs/AlAs superlattices (2002)
Pusep, Yuri A.; Chiquito, Adenilson José
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. e CHIQUITO, Adenilson José. Formation of X-minibandd in type-II GAAs/AlAs superlattices. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., & Chiquito, A. J. (2002). Formation of X-minibandd in type-II GAAs/AlAs superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ. Formation of X-minibandd in type-II GAAs/AlAs superlattices. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ. Formation of X-minibandd in type-II GAAs/AlAs superlattices. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/'Al ind.x'G'a ind.1-x'As superlattices (2002)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A.; Gusev, Guennadii Michailovich; Toropov, A. I.
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/'Al ind.x'G'a ind.1-x'As superlattices. Physical Review B, v. 66, n. 3, p. 035323-1-035323-7, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000066000003035323000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Gusev, G. M., & Toropov, A. I. (2002). Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/'Al ind.x'G'a ind.1-x'As superlattices. Physical Review B, 66( 3), 035323-1-035323-7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000066000003035323000001&idtype=cvips
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Gusev GM, Toropov AI. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/'Al ind.x'G'a ind.1-x'As superlattices [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 3): 035323-1-035323-7.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000066000003035323000001&idtype=cvips
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Gusev GM, Toropov AI. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/'Al ind.x'G'a ind.1-x'As superlattices [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 3): 035323-1-035323-7.[citado 2024 maio 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000066000003035323000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/AlGaAs superlattices (2002)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A.; Gusev, Guennadii Michailovich; Toropov, A. I.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/AlGaAs superlattices. 2002, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2002. . Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Gusev, G. M., & Toropov, A. I. (2002). Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/AlGaAs superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Gusev GM, Toropov AI. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/AlGaAs superlattices. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Gusev GM, Toropov AI. Quantum interference in intentionally disordered doped GaAs/AlGaAs superlattices. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 20 ]
Artigo de periodico
Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model (2002)
Chiquito, Adenilson José; Pusep, Yuri A; Mergulhao, S; Galzerani, J C
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHIQUITO, Adenilson José et al. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 3, p. 784-789, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Chiquito, A. J., Pusep, Y. A., Mergulhao, S., & Galzerani, J. C. (2002). Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model. Brazilian Journal of Physics, 32( 3), 784-789. doi:10.1590/s0103-97332002000400020
NLM
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Vancouver
Chiquito AJ, Pusep YA, Mergulhao S, Galzerani JC. Capacitance-voltage characteristics of InAs dots: a simple model [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 3): 784-789.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000400020
Artigo de periodico
Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder (2002)
Pusep, Yuri A.; Chiquito, Adenilson José; Mergulhao, S; Toropov, A I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 7, p. 3830-3834, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1506002. Acesso em: 20 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Mergulhao, S., & Toropov, A. I. (2002). Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder. Journal of Applied Physics, 92( 7), 3830-3834. doi:10.1063/1.1506002
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhao S, Toropov AI. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;92( 7): 3830-3834.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506002
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Mergulhao S, Toropov AI. Parallel conductivity of random GaAs/AlGaAs superlattices in regime of controlled vertical disorder [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ;92( 7): 3830-3834.[citado 2024 maio 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1506002

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